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元件参数资料
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参数目录49611
> SPB80N06S-08 MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
型号:
SPB80N06S-08
RoHS:
否
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SPB80N06S-08 PDF
标准包装
1,000
系列
SIPMOS®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
80A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
7.7 毫欧 @ 80A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 240µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
187nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3660pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
PG-TO263-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
SP000054056
SP000084808
SPB80N06S08T
查看SPB80N06S-08代理商
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